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Product laser

產(chǎn)品中心
IGBT/SiC激光退火設備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
精確的單/雙脈沖控制，對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進(jìn)行激光快速退火，實(shí)現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。
產(chǎn)品特點(diǎn)

激活深度≥7μm

單位小時(shí)產(chǎn)出＞25 @8"

優(yōu)異的方阻均勻性和表面顏色

完整的全程監控反饋能力

支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

具備激光輔助加熱系統

應用領(lǐng)域
標準晶圓、平邊晶圓、Notch晶圓、Taiko晶圓
技術(shù)指標
設備型號 DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
適用晶圓尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
激光能量密度 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2
激光穩定性 ≤ 2%，RMS
激活率 ≥95% @B Implant，≥90% @P Implant
均勻性 片內：≤1%，片間：≤1%，@8"，RS
潔凈度控制 ≤30 @ 0.5μm，≤5 @ 1μm
自動(dòng)傳片系統 雙晶圓裝載口、多關(guān)節機器手、預準直器
應用案例