激光硼摻雜技術(shù)

Laser boron doping technology

應用原理 / Principle

激光硼摻雜技術(shù)是在現有PERC電池技術(shù)基礎上，通過(guò)沉積或印刷硼摻雜源，在激光背面開(kāi)槽過(guò)程中，同步形成激光重摻雜區 P++層。其中激光摻雜形成的P++層，可以有效的降低背面接觸復合速率，同時(shí)降低背面硅鋁接觸電阻，提升太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓Voc和填充因子FF，提升電池轉換效率。

工藝簡(jiǎn)介

Process Introduction

激光硼摻雜技術(shù)是PERC電池技術(shù)未來(lái)升級的方向之一。采用CVD沉積或者印刷方式，在PERC藍膜片背面形成一層硼摻雜源，通過(guò)激光開(kāi)槽過(guò)程中的熱效應，將硼元素同步摻雜進(jìn)硅襯底中，形成P++層，即重摻雜區。一方面，重摻雜區形成P++P高低結，形成場(chǎng)鈍化效應，另一方面，可有效降低鋁硅接觸電阻，從這兩方面提升Voc 和FF，進(jìn)而提高太陽(yáng)電池轉換效率。